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在元语言意识的研究中,研究者主要研究元语言意识的发展过程及其影响因素。提高对积极元刻板印象的普遍认识可能会减轻积极元刻板印象的窒息效应。其原理是依靠钙离子浓度与神经元活动的严格对应关系,利用特殊的荧光染料或蛋白质荧光探针(钙指示剂),通过荧光强度来表达神经元中钙离子的浓度。出来并用显微镜捕获以监测神经元活动。

他们从语言学角度分解元语言意识,然后根据不同的任务确定研究方法,探讨元语言意识的发展及其与语言学习的关系,解释制约和促进元语言意识发展的原因。元语言意识在构成个人语言能力和素质的因素中的作用日益受到重视。最近的一项研究通过有调节的中介模型对积极的元刻板印象与工作记忆之间的关系进行了更深入的探索。主要目的是探讨积极元刻板印象激活对工作记忆的影响及其机制。



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原理是GPCR中有一个区域在与配体(神经递质)结合后构象变化最显着。周期性重排且对构象变化敏感的绿色荧光蛋白(cpEGFP)插入该区域,神经递质与GPCR结合会引起其构象的变化,进而引起cpEGFP的构象变化,进一步影响其发色团周围的微环境,最终导致其荧光强度的变化。

他们的研究提出了另一种观点:他们使用验证性因素分析来探索可以解释语音意识任务之间的协变的不同因素结构。

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